RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Сравнить
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
20.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
56
Около -229% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.0
1,813.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
17
Скорость чтения, Гб/сек
4,387.7
20.9
Скорость записи, Гб/сек
1,813.5
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
693
3550
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link