RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Сравнить
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
10
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
52
56
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.7
1,813.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
52
Скорость чтения, Гб/сек
4,387.7
10.0
Скорость записи, Гб/сек
1,813.5
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
693
2260
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link