RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Сравнить
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
56
Около -87% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.7
1,813.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
30
Скорость чтения, Гб/сек
4,387.7
15.9
Скорость записи, Гб/сек
1,813.5
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
693
2846
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link