RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Сравнить
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
27
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.5
Скорость записи, Гб/сек
8.4
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2275
2809
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link