RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Сравнить
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB против Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
30
Около 10% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.4
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.6
13.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
14.6
Скорость записи, Гб/сек
8.4
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2275
2196
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Corsair CMZ8GX3M1A1600C9 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link