RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Сравнить
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB против Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.4
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
6.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
27
Около -4% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
12.6
Скорость записи, Гб/сек
8.4
6.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2275
1970
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link