RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
32
Около 19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.8
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
8.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
12.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2478
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB Сравнения RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link