Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Средняя оценка

Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB

Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Сообщить об ошибке

Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB

Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 26

Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.8 12.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.7 9.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 24
Скорость чтения, Гб/сек

12.8 15.8
Скорость записи, Гб/сек

9.0 11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2143 2971

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

JUHOR JHD2666U1916JG 16GB

JUHOR JHD2666U1916JG 16GB

модули RAM

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB

модули RAM

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB

Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Kingston KVR26N19D8/16 16GB

Kingston KVR26N19D8/16 16GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB

Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Kingston X6TCK6-MIE 32GB

Kingston X6TCK6-MIE 32GB

модули RAM

Mushkin 991586 2GB

Mushkin 991586 2GB

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

Kingston 9905702-010.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB

Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB

Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB

модули RAM

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB

Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB

модули RAM