RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
52
Около 50% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
52
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
16.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2853
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link