RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
33
Около 21% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.8
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
19.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3364
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link