RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
37
Около 30% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.5
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
37
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
13.5
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2757
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link