RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
26
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.1
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
20.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
4060
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link