RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
29
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.1
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
18.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3563
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link