RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
26
Около -30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.2
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
20
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
19.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3429
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link