RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.9
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
18.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3687
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link