RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
34
Около 24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.8
9.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
5.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
34
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
9.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
5.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
1839
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link