RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
30
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.9
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.7
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
15.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2846
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Jinyu 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link