Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB против Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Средняя оценка

Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB

Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Причины выбрать
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Сообщить об ошибке

Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB

Причины выбрать
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

17 13.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.2 8.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

28 28
Скорость чтения, Гб/сек

13.3 17.0
Скорость записи, Гб/сек

8.5 12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2213 2944

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB

Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB

Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB

Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Kingston X2YH1K-MIE 16GB

Kingston X2YH1K-MIE 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB

Kingston XG9XKG-MIE 16GB

Kingston XG9XKG-MIE 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB

Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB

Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB

Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB

модули RAM

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Kingston KMKYF9-MID 8GB

Kingston KMKYF9-MID 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB

Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Kingston XJV223-MIE-NX 16GB

Kingston XJV223-MIE-NX 16GB

модули RAM

Corsair CM2X2048-6400C5 2GB

Corsair CM2X2048-6400C5 2GB

Kingston 99U5663-007.A00G 16GB

Kingston 99U5663-007.A00G 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C

Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB

Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB

модули RAM

Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB

Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666

модули RAM