RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB против G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
72
Около 61% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.5
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
13.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
72
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
15.8
Скорость записи, Гб/сек
8.5
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2213
1951
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link