RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
49
Около -81% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
8.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
27
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
13.8
Скорость записи, Гб/сек
8.7
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2427
2323
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link