RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Сравнить
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB против Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Средняя оценка
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
49
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.5
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
10.9
10.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
32
49
Скорость чтения, Гб/сек
10.8
10.9
Скорость записи, Гб/сек
8.5
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2349
2413
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Kingston 99U5316-058.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link