RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
70
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.1
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
70
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
15.7
Скорость записи, Гб/сек
8.1
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
1934
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link