RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
51
Около -76% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
29
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
15.8
Скорость записи, Гб/сек
8.1
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
2865
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link