RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
51
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
36
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
16.0
Скорость записи, Гб/сек
8.1
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
2353
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link