RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB против Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
49
Около -133% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
21
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
19.4
Скорость записи, Гб/сек
8.1
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2465
2981
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link