RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.1
6.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
49
Около -104% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.7
10.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
24
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
12.7
Скорость записи, Гб/сек
8.1
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2465
2256
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Сравнения RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link