RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Inmos + 256MB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB против Inmos + 256MB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Inmos + 256MB Причины выбрать
Inmos + 256MB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    30 left arrow 49
    Около -63% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    11.5 left arrow 10.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.1 left arrow 8.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    16800 left arrow 12800
    Около 1.31 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Inmos + 256MB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    49 left arrow 30
  • Скорость чтения, Гб/сек
    10.2 left arrow 11.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.1 left arrow 9.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 16800
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow no data
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2465 left arrow 2318

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Сравнения RAM

Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB

Inmos + 256MB Сравнения RAM

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Inmos + 256MB
Inmos + 256MB
модули RAM
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
модули RAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
модули RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Golden Empire CL34-38-38 D5-5200 16GB
Golden Empire CL34-38-38 D5-5200 16GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
модули RAM
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
модули RAM
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
модули RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
модули RAM
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
модули RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
модули RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
модули RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
модули RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
модули RAM