RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB против Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
49
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
42
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
13.9
Скорость записи, Гб/сек
8.1
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2465
2034
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link