RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
49
Около -104% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
24
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
16.6
Скорость записи, Гб/сек
8.1
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2465
2969
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link