RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB против Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
49
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
39
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
16.1
Скорость записи, Гб/сек
8.1
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2465
2782
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link