RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB против Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
52
Около -79% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.9
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
29
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
17.9
Скорость записи, Гб/сек
8.0
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2179
3311
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre D4 8G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link