RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Сравнить
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB против G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
52
Около -86% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.5
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
28
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
18.0
Скорость записи, Гб/сек
8.0
16.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2179
3741
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link