RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB против G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
52
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.9
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
26
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
17.9
Скорость записи, Гб/сек
8.0
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2179
3486
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link