RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
44
Около -57% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
28
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
16.1
Скорость записи, Гб/сек
8.1
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
3344
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB Сравнения RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link