RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
44
Около -76% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.3
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.7
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
25
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
14.3
Скорость записи, Гб/сек
8.1
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
2945
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link