RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
44
Около -57% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.9
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.3
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
28
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
12.9
Скорость записи, Гб/сек
8.1
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
2619
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Ramaxel Technology RMR5040MM58F9F1600 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8C-PB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link