RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Kingston 9905625-076.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
44
Около -83% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
24
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
15.7
Скорость записи, Гб/сек
8.1
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
2631
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link