RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
44
Около -57% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
28
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
17.1
Скорость записи, Гб/сек
8.1
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
2833
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link