RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
54
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
54
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
15.2
Скорость записи, Гб/сек
8.1
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
2938
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link