RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
78
Около 44% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.1
6.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.1
11.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
78
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
13.1
Скорость записи, Гб/сек
8.1
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
1584
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link