RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
44
Около -57% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.6
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.2
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
28
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
21.6
Скорость записи, Гб/сек
8.1
18.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
3890
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R748G2400S2S 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link