RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
49
Около -113% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
23
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
16.8
Скорость записи, Гб/сек
7.8
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
2726
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link