RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Средняя оценка
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
47
Около -47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.4
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
32
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
11.4
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2169
2804
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link