RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Сравнить
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
47
Около -62% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.3
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
29
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
14.2
Скорость записи, Гб/сек
7.8
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2169
2984
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link