RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
47
Около -47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
32
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
16.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2169
2974
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link