RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
47
Около -161% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.9
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
18
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
19.9
Скорость записи, Гб/сек
7.8
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2169
3421
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link