RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Сравнить
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Средняя оценка
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
47
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
36
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
16.0
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2169
2353
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link