RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
35
Около 6% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
10.5
8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
35
Скорость чтения, Гб/сек
8.0
10.5
Скорость записи, Гб/сек
7.3
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1911
1998
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link