RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
36
Около 8% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15
8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
36
Скорость чтения, Гб/сек
8.0
15.0
Скорость записи, Гб/сек
7.3
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1911
3098
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link