RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
33
Около -10% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.1
8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.9
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
30
Скорость чтения, Гб/сек
8.0
15.1
Скорость записи, Гб/сек
7.3
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1911
2732
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link